IT之家 8 月 12 日音信开yun体育网，韩媒 ETNews 报谈称，三星电子里面已阐明在平泽 P4 工场成就 1c nm DRAM 内存产线的投资盘算推算，该产线盘算推算来岁 6 月干与运营。

平泽 P4 是一座概括性半导体坐蓐中心，分为四期。在早前盘算推算中，一期为 NAND 闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为 DRAM 内存。三星已在 P4 一期导入 DRAM 坐蓐开辟，但摈弃了二期成就。

而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 级内存工艺，各家的 1c nm（或对应的 1γ nm）居品现在均尚未认真发布。韩媒在报谈中称，三星电子盘算推算在本年底驱动 1c nm 内存坐蓐。

▲ 三星平泽厂区

左证IT之家此前报谈，三星电子谈判在来岁下半年推出的 HBM4 内存上使用 1c nm DRAM 裸片，以更先进的 DRAM 制程擢升 HBM4 居品的能效竞争力，追逐 HBM 限制卓绝者 SK 海力士。

谈判到 HBM 内存对 DRAM 晶圆的花消量远高于传统内存，平泽 P4 成就 1c nm DRAM 产线亦然在为可能的 HBM4 坐蓐需求作念好准备。

通知提到，支持地方提升消费品以旧换新能力。直接安排超长期特别国债资金，用于支持地方自主提升消费品以旧换新能力。国家发展改革委商财政部综合各地区常住人口、地区生产总值、汽车和家电保有量等因素，合理确定对各地区支持资金规模。各地区要重点支持汽车报废更新和个人消费者乘用车置换更新，家电产品和电动自行车以旧换新，旧房装修、厨卫等局部改造、居家适老化改造所用物品和材料购置，促进智能家居消费等。

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